“拓扑绝缘体研究攻关小组”获2010年度学校先进集体奖励 2011-06-09

       6月9日下午，清华大学在主楼报告厅召开了“教职工第七届、工会会员第十九届代表大会”，会上为荣获2010年度学校先进集体的22个单位颁奖。物理系"拓扑绝缘体研究攻关小组”获得奖励，王亚愚教授作为获奖代表参加了大会并上台领奖。

       物理系薛其坤、陈曦、王亚愚和朱邦芬等教授组成的拓扑绝缘体研究攻关小组，2010年在拓扑绝缘体研究中取得了重要进展，其研究成果先后入选了“2010年中国高等学校十大科技进展”和“2010年中国科学十大进展”。他们与张首晟教授、中科院物理所马旭村研究员等合作，在国际上首次建立了高质量拓扑绝缘体薄膜的分子束外延生长动力学[Advanced Materials 22, 4002] ，并利用扫描隧道显微镜观察到了拓扑绝缘体Bi2Se3表面金属态的朗道量子化[Physical Review Letters 105, 076801]，证明了拓扑表面态是一个二维无质量的狄拉克费米体系并受时间反演对称性保护 [Physical Review Letters 103, 266803]。他们还观察到拓扑绝缘体薄膜两个表面上的拓扑态可以发生耦合，从而使得原来无能隙的表面态打开一个能隙，这对发展新的自旋电子器件具有指导意义[Nature Physics 6, 584]。这些工作为实现理论预期的拓扑绝缘体的许多重要现象和使这种材料真正走向应用奠定了基础。该集体在这一领域取得的一系列创新性成果，使得我国在这一方向上的研究处于国际领先地位。