低维量子物理国家重点实验室论文被Nature Asia Materials选为featured highlight

2011年1月01日

低维量子物理国家重点实验室论文被Nature Asia Materials选为featured highlight 2011-07-14

7月11日,低维量子物理国家重点实验室主任薛其坤院士和陈曦教授的研究团队与中国科学院物理所马旭村研究员、美国伦斯勒理工学院张绳百教授合作发表的论文“Topological Insulator Thin Films of Bi2Te3 with Controlled Electronic Structure, Advanced Materials 23, 2929 (2011)” 被Nature Asia Materials选为featured highlight。NPG Asia Materials网站以“Topological Insulators: Getting defects under control”为题介绍了该论文的主要工作,指出传统的通过掺杂降低载流子浓度的方法通常会导致较强的电荷散射和较低的电子迁移率。该团队在Bi2Te3薄膜分子束外延的生长过程中,通过调节束流的通量和衬底温度,实现了对晶体结构中的缺陷种类和浓度的控制,可直接得到n型、p型半导体或绝缘体。这种控制有可能使人们最终观察到拓扑绝缘体纯表面态的一系列新奇物理现象(the work should enable researchers to observe the exotic physics associated with pure surface states in relatively pristine topological insulator materials)。

相关报道请见http://www.natureasia.com/asia-materials/highlight.php?id=925